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  • ET-5000F美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器

    美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器:材料:InGaAs 上升/下降時(shí)間:<28ps/<28ps; 響應(yīng)度:0.9A/W@2000nm; 帶寬:>10GHz; 有效面積直徑:40um; 輸出連接:SMA 光纖連接,FC/UPC

    更新時(shí)間:2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào):ET-5000F
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  • ET-2070美國(guó)EOT - 硅光電探測(cè)器 >118 MHz

    美國(guó)EOT - 硅光電探測(cè)器 118 MHz:材料:Silicon 上升/下降時(shí)間:<3ns/<3ns; 響應(yīng)度:0.56A/W@830nm; 帶寬:>118MHz; 有效面積直徑:2.55mm; 輸出連接:BNC

    更新時(shí)間:2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào):ET-2070
    瀏覽量:1206
  • ET-3010美國(guó)EOT  InGaAs 銦鎵砷光電探測(cè)器 >2 GHz

    美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷光電探測(cè)器 2 GHz:材料:InGaAs 上升/下降時(shí)間:<175ps/<175ps; 響應(yīng)度:0.9A/W@1300nm; 帶寬:>2GHz; 有效面積直徑:100um; 輸出連接:BNC

    更新時(shí)間:2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào):ET-3010
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  • 800-2600nm 高速銦鎵砷PIN光電二極管 3mm TO39密封平面透鏡

    800-2600nm 高速銦鎵砷PIN光電二極管 3mm TO39密封平面透鏡 靈敏度波長(zhǎng)范圍為800nm ~2600nm 的MTPD260T8-300是一個(gè)高靈敏度和高可靠性的產(chǎn)品系列, 非常適合于光通信設(shè)備??蛻艨梢远ㄖ品庋b形式。

    更新時(shí)間:2025-02-24
    產(chǎn)品型號(hào):
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  • IRD-GE-05Ge大光敏面鍺光電二極管

    Ge大光敏面鍺光電二極管 800-1800nm 直徑 5mm雙波段光電二極管,它集成了上下緊貼在一起的兩個(gè)光電探測(cè)器(硅基底在上,銦鎵砷基底在下),組合波長(zhǎng)范圍從400到1700 nm。

    更新時(shí)間:2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào):IRD-GE-05
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