熱門(mén)搜索:
    
    
      P760/01_2760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器
    
      VCSEL-20-M激光控制驅(qū)動(dòng)器
    
      ZNSP25.4-1IR拋光硫化鋅(ZnS)多光譜(透明)窗片 0.37-13.5um 25.4X1.0mm(晶體/棱鏡
    
      HB-C0BFAS0832x4 QPSK C波段相干混頻器(信號(hào)解調(diào)/鎖相放大器等)
    
    
    
      Frequad-W-CW DUV 單頻連續(xù)激光器 213nm 10mW Frequad-W
    
      ER40-6/125截止波長(zhǎng)1300nm 高摻雜EDF摻鉺光纖
    
      SNA-4-FC-UPC日本精工法蘭FC/UPC(連接器/光纖束/光纜)
    
      GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm
    
    
    
      WISTSense Point 緊湊型高精度光纖傳感器解調(diào)儀(信號(hào)解調(diào)/鎖相放大器等)
    
      CO2激光光譜分析儀
    
      1030nm超短脈沖種子激光器PS-PSL-1030
    
      FLEX-BF裸光纖研磨機(jī)
    
    
    
      NANOFIBER-400-9-SA干涉型單模微納光纖傳感器 1270-2000nm
    
      高能激光光譜光束組合的光柵 (色散勻化片)
    
      IRV2000-1X350-2000nm 1倍紅外觀察鏡
    
      S+C+L波段 160nm可調(diào)諧帶通濾波器
    
    
當(dāng)前位置:首頁(yè)
產(chǎn)品中心
光學(xué)無(wú)源器件
晶體/棱鏡/窗片
TL-ZP-401紅外非線(xiàn)性晶體/ZnGeP2/AgGaSe2/GaSe/ZnTe
                    
紅外非線(xiàn)性晶體/ZnGeP2/AgGaSe2/GaSe/ZnTe
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
                  product
產(chǎn)品分類(lèi)| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 | 
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生 | 規(guī)格 | 7x5x15mm | 
紅外非線(xiàn)性晶體/ZnGeP2/AgGaSe2/GaSe/ZnTe 本產(chǎn)品由于具有*的功能,ZnGeP2、 AgGaSe2、AgGaS2、 GaSe 和 ZnTe作為光學(xué)非線(xiàn)性晶體,在中紅外和遠(yuǎn)紅外應(yīng)用方面已經(jīng)贏得了人們極大的興趣。它們的應(yīng)用包括:中紅外波段OPO,近、中紅外波段頻率轉(zhuǎn)換,CO2 激光倍頻,THz生成。紅外非線(xiàn)性晶體 具有大的有效光學(xué)非線(xiàn)性,寬的光譜和角度接收范圍,透光范圍寬,對(duì)溫度穩(wěn)定性和振動(dòng)控制沒(méi)有苛刻的要求,可以進(jìn)行良好的機(jī)械加工( GaSe除外)。其它晶體有 : CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe,ZnS
1、AgGaS2 硫鎵銀晶體
AgGaS2簡(jiǎn)稱(chēng)AGS晶體,中文名是硫鎵銀晶體,他的透光波段為0.53至12 µm。雖然其非線(xiàn)性光學(xué)系數(shù)在上述提到的紅外晶體中是最小的,但是其邊緣為550 nm短波長(zhǎng)高透光度被用于Nd:YAG激光泵浦的OPO,也被大量應(yīng)用于利用二極管、摻鈦藍(lán)寶石、Nd:YAG和紅外燃料激光器進(jìn)行的差頻混頻實(shí)驗(yàn),直接紅外對(duì)抗系統(tǒng),以及CO2激光倍頻。通過(guò)信號(hào)和飛秒OPO系統(tǒng)駐波的差頻,硫鎵銀晶體薄片在中紅外波段超短脈沖發(fā)生方面用的很普遍。
14 mm長(zhǎng)鍍?cè)鐾改ず陀糜诒籒d:YAG激光泵浦的OPO的AgGaS2晶體的透過(guò)光譜
AgGaS2晶體1型 OPO 和SHG調(diào)諧曲線(xiàn)
2、ZnGeP2晶體(簡(jiǎn)稱(chēng)ZGP晶體),磷鍺鋅晶體
ZnGeP2磷鍺鋅晶體的透光波段為0.74至12 µm,其中有用的透光范圍從1.9至10.6 µm。 ZnGeP2擁有最大的非線(xiàn)性光學(xué)系數(shù)和較高的激光損傷閾值。它成功地應(yīng)用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
■ 通過(guò)與10.6 µm 波長(zhǎng)混頻的 CO2激光的上轉(zhuǎn)換;
■ CO和 CO2 激光輻射的和頻;
■ 脈沖式CO、CO2 和DF化學(xué)激光的高效倍頻;餌和鈥激光泵浦時(shí)的中紅外OPO光的發(fā)生。
E K S M A 光 學(xué) 提 供 具 有 低 吸 收<0.04 cm-1 @ 2.1 µm的ZnGeP2 晶體,更好的適應(yīng)OPO或OPA應(yīng)用,然后泵浦2.05-2.1 µm,鍍?cè)鐾改ぁ?/p>
ZnGeP2晶體1型OPO和SHG調(diào)諧曲線(xiàn)
ZnGeP2晶體在2 µm附近的吸收光譜
15 mm長(zhǎng)鍍?cè)鐾改nGeP2晶體OPO@2.1 µm 的透過(guò)光譜
3、AgGaSe2 硒鎵銀晶體
AgGaSe2硒鎵銀晶體晶體的透光波段在0.73至18 µm波段之間。其有用透光范圍0.9-16 µm及寬的相匹配能力,在被多種當(dāng)前常用激光泵浦時(shí),能為OPO應(yīng)用提供具潛力的應(yīng)用。在2.05 µm的Ho:YLF激光泵浦下,已經(jīng)獲得2.5-12 µm的波長(zhǎng),以及在1.4-1.55 µm激光泵浦下,獲得1.9-5.5 µm的非臨界相位匹配操作。脈沖式CO2激光的高效倍頻已經(jīng)得到證明。
AgGaSe2晶體1型OPO和SHG調(diào)諧曲線(xiàn)
18 mm長(zhǎng)無(wú)鍍膜AgGaSe2晶體的透過(guò)光譜
25 mm長(zhǎng)鍍?cè)鐾改さ腁gGaSe2晶體的透過(guò)光譜
4、GaSe硒化鎵
GaSe 硒化鎵晶體 的 透 光 波 長(zhǎng) 在 0 . 6 5 至18 µm之間. GaSe晶體已經(jīng)成功的應(yīng)用于以下方面:CO2 激光的高效倍頻,脈沖式CO、CO2和DF化學(xué) 激光(λ = 2.36 µm)倍頻,CO和CO2激光向可見(jiàn)光的上轉(zhuǎn)換,通過(guò)釹和紅外燃料激光器或(F-)-centre激光脈沖的差頻混頻產(chǎn)生紅外脈沖,3.5–18 µm范圍內(nèi) OPG光的發(fā)生,飛秒脈沖泵浦時(shí)0.2-5 THz范圍的高效太赫茲發(fā)生。由于材料結(jié)構(gòu)(沿(001)平面切開(kāi))限制了應(yīng)用領(lǐng)域,為了得到特定相位匹配角的晶體切割是不可能的。
物理特性:
晶體  | ZnGeP2  | AgGaSe2  | AgGaS2  | GaSe  | ZnTe  | 
晶體對(duì)稱(chēng)性  | 四方  | 四方  | 四方  | 六角  | 立方閃鋅礦  | 
點(diǎn)群  | 42m  | 42m  | 42m  | 62m  | 43m  | 
晶格常數(shù), ? a  | 5.465  | 5.9901  | 5.757  | 3.742  | 6.1037  | 
c  | 10.771  | 10.8823  | 10.305  | 15.918  | -  | 
密度, g/cm3  | 4.175  | 5.71  | 4.56  | 5.03  | 5.633  | 
光學(xué)特性:
晶體  | ZnGeP2  | AgGaSe2  | AgGaS2  | GaSe  | ZnTe  | |
透光范圍,µm  | 0.74-12  | 0.73-18  | 0.53-12  | 0.65-18  | 0.65-17  | |
折射率@  | ||||||
1.06 µm  | no  | 3.2324  | 2.7005  | 2.4508  | 2.9082  | 2.7779  | 
ne  | 3.2786  | 2.6759  | 2.3966  | 2.5676  | ||
5.3 µm  | no  | 3.1141  | 2.6140  | 2.3954  | 2.8340  | 2.6974  | 
ne  | 3.1524  | 2.5823  | 2.3421  | 2.4599  | ||
10.6 µm  | no  | 3.0725  | 2.5915  | 2.3466  | 2.8158  | 2.6818  | 
ne  | 3.1119  | 2.5585  | 2.2924  | 2.4392  | ||
吸收系數(shù), cm-1 @  | ||||||
1.06um  | 3.0  | <0.02  | <0.09  | 0.25  | -  | |
2.5um  | 0.03  | <0.01  | 0.01  | 0.05  | -  | |
5.0um  | 0.02  | <0.01  | 0.01  | 0.05  | -  | |
7.5um  | 0.02  | -  | 0.02  | 0.05  | -  | |
10.0um  | 0.4  | -  | <0.06  | 0.05  | -  | |
11.0um  | 0.8  | -  | 0.06  | 0.05  | -  | |
非線(xiàn)性光學(xué)特性:
晶體  | ZnGeP2  | AgGaSe2  | AgGaS2  | GaSe  | ZnTe  | 
激光損失閾值, MW/cm2  | 60  | 25  | 10  | 28  | -  | 
@脈寬, ns  | 100  | 50  | 20  | 150  | -  | 
@波長(zhǎng), µm  | 10.6  | 2.05  | 1.06  | 9.3  | -  | 
非線(xiàn)性, pm/V  | 111  | 43  | 31  | 63  | -  | 
Type 1 SHG的相位匹配角@ 10.6 µm, deg  | 76  | 55  | 67  | 14  | -  | 
Walk-off角@5.3 µm, deg 0.57  | 0.57  | 0.67  | 0.85  | 3.4  | -  | 
熱學(xué)特性:
晶體  | ZnGeP2  | AgGaSe2  | AgGaS2  | GaSe  | ZnTe  | 
熔點(diǎn), oC  | 1298  | 851  | 998  | 1233  | 1295  | 
熱膨脹系, 10-6/oK  | |||||
⊥  | 17.5(a)  | 23.4(c)  | 12.5  | 9.0  | 8.0  | 
⊥  | 9.1(b)  | 18.0(d)  | -  | -  | -  | 
‖  | 1.59(a)  | -6.4(c)  | -13.2  | 8.25  | -  | 
‖  | 8.08(b)  | -16.0(d)  | -  | -  | -  | 
@ 293-573 K, b) @ 573-873 K, c) @ 298-423 K, d) @ 423-873 K
計(jì)算折射率的SELLMEIER方程:
晶體  | A  | B  | C  | D  | E  | F  | 表達(dá)式  | |
ZnGeP2  | no  | 8.0409  | 1.68625  | 0.40824  | 1.2880  | 611.05  | -  | n2=A +Bλ2/(λ2-C) +Dλ2(λ2-E)  | 
ne  | 8.0929  | 1.8649  | 0.41468  | 0.84052  | 452.05  | -  | ||
AgGaSe2  | no  | 6.8507  | 0.4297  | 0.15840  | 0.00125  | -  | -  | n2= A+B/(λ2-C) -Dλ2  | 
ne  | 6.6792  | 0.4598  | 0.21220  | 0.00126  | -  | -  | ||
AgGaS2  | no  | 3.3970  | 2.3982  | 0.09311  | 2.1640  | 950.0  | -  | n2= A+B/(1-C/λ2) +D/(1-E/λ2)  | 
ne  | 3.5873  | 1.9533  | 0.11066  | 2.3391  | 1030.7  | -  | ||
GaSe  | no  | 7.443  | 0.405  | 0.0186  | 0.0061  | 3.1485  | 2194  | n2= A+B/λ2+C/λ4+D/λ6 +E/(1-F/λ2)  | 
ne  | 5.76  | 0.3879  | -0.2288  | 0.1223  | 1.855  | 1780  | ||
ZnTe  | No, ne  | 9.92  | 0.42530  | 0.37766  | 2.63580  | 56.5  | -  | n2= A+B/(λ2-C2) +D/(λ2/E2-1)  | 
可以根據(jù)客戶(hù)要求提供的其它晶體有: CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe, ZnS
ZnTe/碲化鋅:
碲化鋅晶體在<110>方向被用于通過(guò)光整流過(guò)程來(lái)產(chǎn)生太赫茲。光整流效應(yīng)是晶體的二階非線(xiàn)性光學(xué)效應(yīng),也是一種特殊的差頻效應(yīng)。對(duì)于有一定帶寬的飛秒激光脈沖,不同的頻率分相互作用產(chǎn)生從0到幾太赫茲的帶寬。太赫茲脈沖的整流是通過(guò)碲化鋅晶體另一個(gè)<110>方向內(nèi)自由空間電光整流產(chǎn)生的。太赫茲脈沖和可見(jiàn)光脈沖在碲化鋅晶體內(nèi)直線(xiàn)傳播時(shí),太赫茲脈沖在碲化鋅晶體內(nèi)產(chǎn)生雙折射,這一現(xiàn)象被線(xiàn)偏振可見(jiàn)光脈沖讀出。當(dāng)可見(jiàn)光脈沖和太赫茲脈沖同時(shí)在同一晶體內(nèi)傳播時(shí),可見(jiàn)偏振光在太赫茲脈沖作用下產(chǎn)生旋光,用一個(gè)λ/4波片和一個(gè)分束偏振器以及一組平衡光電二極管,通過(guò)監(jiān)控可見(jiàn)光脈沖從碲化鋅晶體出射后的偏振旋轉(zhuǎn)相對(duì)于太赫茲脈沖的一組延遲時(shí)間,就可以監(jiān)測(cè)太赫茲脈沖的振幅軌跡。能夠讀出完整的電場(chǎng)、振幅和延遲,是時(shí)域太赫茲光譜的魅力之一。
碲化鋅也被用于紅外光學(xué)元件基板和真空沉積。我們可提供尺寸為?40x30 mm的光學(xué)元件。
注意: 碲化鋅含有微氣泡,這并不影太赫茲的產(chǎn)生,然而,它們?cè)诰w被照明時(shí)的投影下是可見(jiàn)的。我們不接受關(guān)于晶體內(nèi)有氣泡的投訴。
如何訂購(gòu):ZnGeP2 (ZGP) Crystals
貨號(hào)  | Size, mm  | θ  | φ  | 鍍膜  | 標(biāo)注  | 交貨期  | 
TL-ZP-401  | 7x5x15 mm  | 54°  | 0°  | AR@2.1µm+BBAR@3.5-5µm  | OPO @ 2.1-> 3.5-5 µm  | 3周  | 
TL-ZP-402  | 7x5x20 mm  | 54°  | 0°  | AR@2.1µm+BBAR@3.5-5µm  | OPO @ 2.1-> 3.5-5 µm  | 3周  | 
TL-ZP-403  | 7x5x25 mm  | 54°  | 0°  | AR@2.1µm+BBAR@3.5-5µm  | OPO @ 2.1-> 3.5-5 µm  | 6周  | 
AgGaS2 (AGS) Crystals
貨號(hào)  | Size, mm  | θ  | φ  | 鍍膜  | 標(biāo)注  | 含稅單價(jià)  | 交貨期  | 
TAGS-401H  | 5x5x1 mm  | 39°  | 45°  | BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm  | DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1  | 9800 元  | 1周  | 
TAGS-402H  | 6x6x2 mm  | 50°  | 0°  | BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm  | DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 2  | 16450元  | 聯(lián)系我們  | 
TAGS-403H  | 5x5x0.4 mm  | 34°  | 45°  | BBAR/BBAR @ 3-6 / 1.5-3 μm  | SHG @ 3-6 μm, Type 1  | 12300元  | 1周  | 
TAGS-801H  | 8x8x0.4 mm  | 39°  | 45°  | BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm  | DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1  | 26800元  | 1周  | 
TAGS-802H  | 8x8x1 mm  | 39°  | 45°  | BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm  | DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1  | 23490元  | 1周  | 
AgGaS2 crystals are provided mounted into 25.4 mm diameter ring holder.
關(guān)于質(zhì)量控制實(shí)驗(yàn)室:
Terahertzlabs光學(xué)的質(zhì)量控制實(shí)驗(yàn)室通過(guò)使用高度專(zhuān)業(yè)化的設(shè)備和工藝,能夠?yàn)榭蛻?hù)提供高質(zhì)量的精密光學(xué)元件。質(zhì)量控制實(shí)驗(yàn)室配備了防振光學(xué)平臺(tái)、層流罩和超聲波清洗機(jī),此外還配備了一系列高精度的測(cè)量設(shè)備來(lái)進(jìn)行各種各樣的測(cè)試。
光學(xué)測(cè)試:
1, Genesys-2 分光光度計(jì):用于200-1100 nm波段透過(guò)率的精密測(cè)量;
2, EKSPLA laser spectrophotometer – 用于210-2300 nm波段透過(guò)率和反射率的精密測(cè)量,激光光 束直徑<1 mm;
3, ESDI Intellium Z100 Fizeau Interferometer – 用633 nm波長(zhǎng)測(cè)量面形和透過(guò)波前畸變的計(jì)算機(jī)控制科學(xué)干涉儀,標(biāo)準(zhǔn)具精度lambda/20;
4,EKSPLA NL220 laser - Nd:YAG激光器,工作波長(zhǎng)1064、532、355和266 nm,用于晶體角切精度測(cè)量、晶體效率和方向性測(cè)試;
5,Moeller-Wedel Optical Elcomat vario140/40 Autocollimator;
6,G-5 Ganiometers – 用于測(cè)量棱鏡和楔角片角度,以及平面光學(xué)元件
的平行度和塔差;
7, Nikon Microscopes - 56-400倍放大顯微鏡,帶CCD相機(jī),用于表面質(zhì)
量檢測(cè);
8,Trioptics Super-Spherotronic HR Spherometer;
實(shí)驗(yàn)室能力:
光學(xué)實(shí)驗(yàn)室具有如下能力:
1,光學(xué)和幾何參數(shù)測(cè)量,如焦距、折射率、曲率半徑、角度和塔差,用于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換(二、三次倍頻)的光軸方向測(cè)量;
2,表面質(zhì)量測(cè)量,按照MIL、ISO或DIN標(biāo)準(zhǔn);
3, 平面度測(cè)量:波前畸變(反射和透過(guò)光束);
4, 棱鏡和楔角片角度測(cè)量,平面元件的平行度測(cè)量;
5,材 料 和 薄 膜 鍍 膜 光 譜 測(cè) 量 , 和 /或 角 反 射 和 透 過(guò) 率 測(cè) 量 ( 2 0 0 -2300 nm);
6, 用ZEMAX軟件進(jìn)行光學(xué)設(shè)計(jì)。
關(guān)于晶體選擇列表僅供客戶(hù)參考:
A-F系列  | G-H系列  | L-N系列  | P-Z系列  | 
Al2O3  | GaTe  | LaAlO3  | PbWO4  | 
Al  | GaN  | LiTaO3  | PbF2  | 
Au  | GaP  | LiNbO3  | PbS  | 
Ag  | Ga:ZnO  | LiF  | PIN-PMN-PT  | 
AlN 單晶  | GdScO3  | LSAT  | PMN-PT  | 
BaF2  | GaSb  | LaF3  | SrTiO3 (國(guó)產(chǎn),進(jìn)口,Ti面終止SrTiO3)  | 
BaTiO3  | GaAs  | LiAlO2  | SrLaAlO4  | 
BGO  | Graphite(普通;熱解)  | LGS 硅酸鎵鑭  | SrLaGaO4  | 
BSO  | GaSe  | LiGaO2  | Si(?超薄Si片)  | 
Bi2Te3  | GGG (Gd3Ga5O12)  | LGT鉭酸鎵鑭  | SiC?(4H,6H,3C)  | 
Bi2Se3  | Ge  | MgAl2O4  | SBN  | 
Bi2Se2Te  | Hg(1-x)Cd(x)Te  | MgF2  | SiO2(玻璃和單晶)  | 
Bi2Te2Se  | InP  | MgO  | Si-Ge  | 
BP 黑磷  | InAs  | MoSe2  | TiO2(銳鈦礦型,金紅石型)  | 
CdS  | InSb  | MoS2  | TbScO3  | 
CsI (TI)  | KH2PO4  | MoTe2  | TGG  | 
CaCO3  | KTaO3  | MgO:LiNbO3  | TeO2  | 
Cu(單晶)  | KTa 1-X NbXO3  | NdCaAlO4  | WTe2  | 
CdSe  | KCl  | NaCl  | WS2  | 
Ce:Lu2SiO5  | KTN  | Nb:SrTiO3 (國(guó)產(chǎn),進(jìn)口)  | WSe2  | 
CdWO4  | HOPG  | NdGaO3  | YAG  | 
CdZnTe  | NaCl  | YSZ  | |
CdTe  | Ni  | YAlO3  | |
CeF2  | YVO4  | ||
CaF2  | ZnTe  | ||
DyScO3  | ZnSe  | ||
Fe:SrTiO3  | ZnO  | ||
Fe3O4  | ZnS  | ||
Fe2O3  | Zero diffraction plate (Si 和SiO2)  |