GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體 5 x 5 x 1mm

GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負單軸層狀半導(dǎo)體晶體，擁有六邊形結(jié)構(gòu)的62m空間點群，300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數(shù)大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數(shù)，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因?qū)拵掌澱袷幒吞綔y使用的是低于20飛秒的激光光源，GaSe發(fā)射-探測系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結(jié)果。通過對GaSe晶體厚度的選取，我們可以實現(xiàn)對THz波的頻率可選擇性控制。

注：GaSe晶體的解理面為(001)，因此對該晶體使用的一個很大限制在于質(zhì)軟，易碎。

GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體 5 x 5 x 1mm

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公司自成立以來，始終遵循行業(yè)、誠信發(fā)展、探索創(chuàng)新、務(wù)實致遠、以質(zhì)取勝的服務(wù)理念，并在產(chǎn)品開發(fā)和銷售中貫徹到底。公司自始至終秉承著國際標準的質(zhì)量安全保障。多年來，公司一直致力于光學(xué)設(shè)備的設(shè)計開發(fā)，以及知識產(chǎn)權(quán)的保護。我們將不斷完善管理機制和技術(shù)水平，為客戶提供更安全環(huán)保的產(chǎn)品以及更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。