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當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心光電探測(cè)器MCT碲鎘汞探測(cè)器MCT中紅外三級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器

MCT中紅外三級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2-12μm , MCT中紅外三級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器 PVI-3TE系列具有好的性能和穩(wěn)定性,同時(shí)采用光學(xué)浸入來(lái)改善器件的參數(shù)。探測(cè)器在λopt時(shí)具有好性能。切割波長(zhǎng)可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會(huì)降低低頻下的性能。

產(chǎn)品型號(hào):
更新時(shí)間:2024-12-04
廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
訪問(wèn)量:981
詳細(xì)介紹在線留言
品牌其他品牌產(chǎn)地類別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,能源,建材,電子

PVI-3TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級(jí)熱電冷卻紅外光探測(cè)器,具有好的性能和穩(wěn)定性,同時(shí)采用光學(xué)浸入來(lái)改善器件的參數(shù)。探測(cè)器在λopt時(shí)具有性能。切割波長(zhǎng)可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會(huì)降低低頻下的性能。3°楔狀藍(lán)寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。

產(chǎn)品特點(diǎn)

含有三級(jí)TE制冷以提高探測(cè)器性能

可探測(cè)中紅外波長(zhǎng)范圍2-12μm

可配專用前置放大器

1mm×1mm大尺寸光敏面

帶有抗反射涂層窗口鏡

帶有超半球微型砷化鎵透鏡實(shí)現(xiàn)光學(xué)浸沒(méi),有效提升探測(cè)效率

封裝及尺寸

TO8型封裝外形尺寸圖

參量

數(shù)值

浸沒(méi)微型透鏡形狀

超半球形

光學(xué)區(qū)域面積AO;mm×mm

0.5×0.5

1×1

R,mm

0.5

0.8

A,mm

5.7±0.35

4.8±0.35

備注:

?—接收角度;

R—超半球微型透鏡半徑

A—3TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離


2TE-TO8引腳定義

功能

PIN號(hào)

探測(cè)器

1,3

反向偏壓(可選)

1(-),3(+)

熱敏電阻

7,9

TE冷卻器供應(yīng)

2(+),8(-)

底板接地

11

未使用

4,5,6,10,12



3TE-TO66封裝尺寸圖

222222.jpg

參量

數(shù)值

浸沒(méi)微型透鏡形狀

超半球形

光學(xué)區(qū)域面積AO;mm×mm

0.5×0.5

1×1

R,mm

0.5

0.8

A,mm

6.75±0.35

5.85±0.35

備注:

?—接收角度;

R—超半球微型透鏡半徑

A—3TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離


TO66引腳定義

功能

PIN號(hào)

探測(cè)器

7,8

反向偏壓(可選)

7(-),8(+)

熱敏電阻

5,6

TE冷卻器供應(yīng)

1(+),9(-)

未使用

2,3,4

產(chǎn)品應(yīng)用

醫(yī)學(xué)熱成像

紅外光譜分析

中紅外氣體吸收檢測(cè)

中紅外激光探測(cè)

技術(shù)參數(shù)

參數(shù)

探測(cè)器型號(hào)

PVI-3TE-3

PVI-3TE-3.4

PVI-3TE-4

PVI-3TE-5

PVI-3TE-6

PVI-3TE-8

PVI-3TE-10.6

有源元件材料

外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)


最佳波長(zhǎng)λopt,μm

3

3.4

4

5

6

8

10.6

探測(cè)靈敏度D*(λpeak),cm·Hz?/w

≥9×1011

≥7×1011

≥5×1011

≥1×1011

≥6×1010

≥5×109

≥3×109

探測(cè)靈敏度D*(λopt),cm·Hz?/W

≥7×1011

≥5×1011

≥3×1011

≥8×1010

≥3×1010

≥3×109

≥1.5×109

電流響應(yīng)度Ri(λopt),A/W

≥0.5

≥0.8

≥1.0

≥1.3

≥1.5

≥1.0

≥0.7

時(shí)間常數(shù)T,ns

280

200

≤100

≤80

≤50

≤45

≤10

電阻-感光元件面積乘積R·AO,Ω·cm2

24000

≥1500

≥600

≥30

≥2.5

≥0.04

≥0.02

有源元件溫度Tdet,K

~210

感光面面積AO,mm×mm

0.5×0.5,1×1

0.05×0.05

封裝

TO8,TO66

接收角Φ

~36°

窗口

wAl2O3

wZnSeAR


探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線

PVI-3TE.png

熱敏電阻特性曲線

PV-2TE1.jpeg

兩級(jí)TE冷卻參數(shù)表

參量

數(shù)值

Tdet , K

~210

Vmax , V

3.6

Imax , A

0.35

Qmax , W

0.27


抗反射涂層窗口光譜透過(guò)率曲線

PV-2TE2.jpeg

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