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  • P97M30T2-A950-1650nm 單元InGaAs探測(cè)器 二級(jí)TEC 感光Φ3000um

    950-1650nm 單元InGaAs探測(cè)器 二級(jí)TEC 感光Φ3000um P97MXXT2系列單元InGaAs探測(cè)器主要由P-I-N結(jié)構(gòu)的InGaAs光敏芯片、過渡電極板、溫度傳感器以及二級(jí)熱電致冷器（TEC）組成，采用TO封裝形式。本使用手冊(cè)僅針對(duì)該系列產(chǎn)品進(jìn)行說明。

    更新時(shí)間：2025-08-30
    產(chǎn)品型號(hào)：P97M30T2-A
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  • SBD-2G-A2GHz OCT 光電平衡探測(cè)器 1300±150nm 光功率280uW

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    更新時(shí)間：2024-12-06
    產(chǎn)品型號(hào)：SBD-2G-A
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  • 50Gbps56Gbaud APD Chip（銦鎵砷）

    50Gbps56Gbaud APD Chip（銦鎵砷） InGaAs雪崩光電二極管（APD）芯片

    更新時(shí)間：2025-10-29
    產(chǎn)品型號(hào)：
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  • 10Gbps InGaAs APD Chip φ40um（銦鎵砷）

    10Gbps InGaAs APD Chip φ40um（銦鎵砷） InGaAs雪崩光電二極管（APD）芯片

    更新時(shí)間：2025-10-29
    產(chǎn)品型號(hào)：
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  • 高性能硒化鉛(PbSe)單通道紅外探測(cè)器(非制冷與制冷型)

    高性能硒化鉛(PbSe)單通道紅外探測(cè)器(非制冷與制冷型) 硒化鉛(PbSe)單通道紅外探測(cè)器在1至5um光譜范圍內(nèi)進(jìn)行物質(zhì)分析時(shí)，能提供性能與特性的z佳平衡。其高靈敏度、快速響應(yīng)時(shí)間以及業(yè)界優(yōu)秀的可靠性相結(jié)合，可確保在任何需要的時(shí)間和場(chǎng)合都能提供穩(wěn)定一致的性能表現(xiàn)。

    更新時(shí)間：2025-11-01
    產(chǎn)品型號(hào)：
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